반도체설계산업기사 필기 기출문제
1. 과대전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?
정답: ① 제너 다이오드
설명: 정답은 1 번입니다.
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2. 반도체 공정에서 산화막 공정의 목적과 거리가 먼 것은?
정답: ④ 저온증착(Low Temperature Chemical Vapor Deposition) 효과
설명: 정답은 4 번입니다.
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3. 바이폴라 트랜지스터 존재하는 접합은?
정답: ③ 컬렉터(Collector) - 베이스(Base) 접합
설명: 정답은 3 번입니다.
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4. 바이폴라 트랜지스터에서 이미터-베이스 접합에 순방향 바이어스, 컬렉터-베이스 접합에 순방향 바이어스 전압을 걸었을 때의 트랜지스터의 동작 상태는?
정답: ② 포화 상태
설명: 정답은 2 번입니다.
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5. 반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?
정답: ④ 전도대
설명: 정답은 4 번입니다.
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6. pn접합이 순방향 바이어스일 때 동작으로 옳은 것은?
정답: ④ 두 반도체의 다수 캐리어가 서로 상대편 영역으로 이동한다.
설명: 정답은 4 번입니다.
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7. 에너지 밴드의 종류에 해당하지 않는 것은?
정답: ③ 전자대
설명: 정답은 3 번입니다.
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8. 원자번호 14인 Si 원자의 최외각(M각) 전자는 몇 개인가?
정답: ② 4
설명: 정답은 2 번입니다.
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9. 실리콘 pn접합의 형태를 이루고 있으며, 역방향 직류 전원에서 동작하며, 역방향 항복에 이르면 전류가 급격히 변하여도 항복 전압은 거의 일정한 소자는?
정답: ④ 제너 다이오드(zener diode)
설명: 정답은 4 번입니다.
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10. 단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 단위 셀당 포함되는 원자의 개수는?
정답: ① 1
설명: 정답은 1 번입니다.
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11. pn접합에서 외부에 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
정답: ③ 확산 작용
설명: 정답은 3 번입니다.
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12. MOSFET의 커패시턴스 C는? (단, COX는 산화막 커패시턴스, CS는 공핍층 커패시턴스 이다.)
정답: ①
설명: 정답은 1 번입니다.
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13. NPN트랜지스터 ICEO에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답: ② 차단상태에서 컬렉터에 흐르는 누설전류이다.
설명: 정답은 2 번입니다.
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14. 접합전계효과트랜지스터(JFET)에서 핀치-오프(Pinch-off) 전압이란? (단, 드레인 전류 ID, VGS = 0 V 인 상태이다.)
정답: ② ID가 일정하게 될 때의 VDS의 전압
설명: 정답은 2 번입니다.
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15. MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
정답: ④ BJT에 비하여 전력소모가 많은 트랜지스터이다.
설명: 정답은 4 번입니다.
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16. pn접합에서 전류가 0 일 때의 설명으로 가장 적합한 것은?
정답: ③ 접합면을 지나는 다수 캐리어(Carrier)와 소수 캐리어가 같다.
설명: 정답은 3 번입니다.
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17. pn접합의 공간 전하영역에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ③ 거의가 다수 캐리어이다.
설명: 정답은 3 번입니다.
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18. 역방향 바이어스 전압에 의해서 전류가 흐르는 다이오드로서 정전압 회로에 사용되는 것은?
정답: ① 제너 다이오드
설명: 정답은 1 번입니다.
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19. p형과 n형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은?
정답: ④ p형 : 정공, n형 : 전자
설명: 정답은 4 번입니다.
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20. 일정한 온도 하에서 n형 반도체의 도너 불순물 농도를 증가시키면 페르미 준위는?
정답: ① 전도대에 접근한다.
설명: 정답은 1 번입니다.
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21. 그림과 같은 파형의 전압을 교류전압계(AC Voltmeter)로 측정할 때 옳은 것은?
정답: ③
설명: 정답은 3 번입니다.
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22. 금속산화물반도체 전계효과 트렌지스터(MOSFET)에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ① 게이트의 전압이 임계 전압 이상으로 커지면 채널이 형성되기 시작하여 점차 채널폭이 감소한다.
설명: 정답은 1 번입니다.
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23. 주파수 대역폭을 넓히기 위한 방법으로 적합하지 않은 것은?
정답: ③ 동조회로(tuning circuit)의 Q를 높인다.
설명: 정답은 3 번입니다.
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24. 연산증폭기 회로에서 출력 VO를 나타내는 식으로 가장 적합한 것은?
정답: ④
설명: 정답은 4 번입니다.
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25. TV 수상기나 레이더 등과 같이 광대역 증폭을 요구하는 회로에 응용되는 증폭기는?
정답: ① 스태거 동조 증폭기
설명: 정답은 1 번입니다.
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26. 정류기의 직류 출력전압이 전부하일 때 200V, 무부하인 경우 225V 이라면 전압변동률은 몇 % 인가?
정답: ② 12.5
설명: 정답은 2 번입니다.
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27. 이상적인 차동증폭기의 공통성분제거비(CMRR)는?
정답: ④ 무한대(∞)
설명: 정답은 4 번입니다.
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28. 트랜지스터의 콜렉터 손실이 최대 정격 15W인 두 개의 트랜지스터 B급 푸시풀(push-pull)로 동작하려할 때, 콜렉터 손실의 최대 정격이 허용하는 범위에서 최대 출력은 약 몇 W 인가?
정답: ④ 75
설명: 정답은 4 번입니다.
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29. 단상 반파 정류회로의 이론상 최대 정류효율은 몇 % 인가? (단, 정류 효율 : η, 이다.)
정답: ① 40.5
설명: 정답은 1 번입니다.
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30. 다음 회로에서 출력전압은 몇 V 인가?
정답: ③ -21
설명: 정답은 3 번입니다.
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31. 다음 회로의 명칭으로 알맞은 것은?
정답: ② 멀티-바이브레이터
설명: 정답은 2 번입니다.
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32. 이상적인 구형파 입력 파형에 대한 출력 파형의 응답 시에 진폭과 시간 관계가 그림과 같을 때 하강 시간(fall time)은 몇 ㎲ 인가? (단, 수치의 모든 단위는 ㎲ 이다.)
정답: ① 2
설명: 정답은 1 번입니다.
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33. 트랜지스터 증폭기의 저주파(중간영역)에서의 전류이득을 0㏈라고 할 때 α차단 주파수에서의 전류이득은 몇 ㏈ 인가?
정답: ③ -3
설명: 정답은 3 번입니다.
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34. 다음 회로에서 전압이득은 Vo/Vi은? (단, Ri = ∞, -Av = ∞ 이다.)
정답: ③
설명: 정답은 3 번입니다.
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35. 직류 증폭기에서 온도 변화 등의 영향으로 인하여 출력이 변동되는 현상은?
정답: ④ 드리프트
설명: 정답은 4 번입니다.
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36. 전압 직렬귀환 증폭 회로의 입력 및 출력 저항은 귀환이 없을 때와 비교하면 어떻게 변화하는가?
정답: ② 입력 임피던스 : 증가, 출력, 임피던스 : 감소
설명: 정답은 2 번입니다.
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37. 이미터 저항을 연결한 CE 증폭기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
정답: ③ 출력저항이 많이 감소한다.
설명: 정답은 3 번입니다.
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38. 다음 같은 증폭기에 관한 설명으로 틀린 것은?
정답: ② 부귀환을 걸어줌으로써 입력 임피던스는 증가한다.
설명: 정답은 2 번입니다.
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39. 단위 이득 주파수(fT)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
정답: ② 개방 전압 이득이 0 ㏈가 되는 주파수
설명: 정답은 2 번입니다.
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40. FET에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ④ BJT 보다 온도변화에 따른 안정성이 낮다.
설명: 정답은 4 번입니다.
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41. 슈미트트리거에 대한 전달함수가 다음 그래프와 같다. 입력 전압이 0V에서 서서히 증가할 경우 입력이 1.5V일 때 출력 전압은 몇 V 인가?
정답: ① 3
설명: 정답은 1 번입니다.
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42. T 플립플롭의 특성 설명으로 옳지 않은 것은?
정답: ① 특성 방정식은 이다.
설명: 정답은 1 번입니다.
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43. 2개의 입력을 가지는 NOR 게이트의 입력에 각각 인버터(inverter)가 접속되어 있을 때 결과적으로 얻어지는 논리 작용?
정답: ① AND
설명: 정답은 1 번입니다.
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44. 논리식 A + (A*B) = A의 불 대수 정리는?
정답: ④ 흡수법칙
설명: 정답은 4 번입니다.
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45. A, B에 해당하는 수치로 옳은 것은?
정답: ② A=11111, B=31
설명: 정답은 2 번입니다.
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46. 많은 입력 선(Line) 중의 하나로부터 2진 정보를 선택하여 단일 출력 선(Line)으로 전송하는 조합회로는?
정답: ② 멀티플렉터
설명: 정답은 2 번입니다.
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47. Multiplexer는 5개의 제어 선택 선(Line)으로 몇 개의 입력 라인을 제어할 수 있는가?
정답: ③ 32
설명: 정답은 3 번입니다.
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48. 송신기가 ASCⅡ코드 1100101을 홀수 패리티를 사용하여 전송한다면 11001011을 보내게 된다. 이때 수신측에서의 논리적인 검사방식에 주로 사용되는 논리회로는?
정답: ④ XOR
설명: 정답은 4 번입니다.
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49. 다음 불 대수식을 간단히 하면?
정답: ① X
설명: 정답은 1 번입니다.
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50. 반가산기 회로의 출력으로 옳은 것은? (단, 입력은 A, B 출력은 Sum, Carry이다.)
정답: ②
설명: 정답은 2 번입니다.
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51. 8진수 (88)4를 16진수로 표현하면?
정답: ③ 24
설명: 정답은 3 번입니다.
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52. JK 플립플롭 3개를 연결하여 구성된 회로에서 Cp를 입력으로 하고 A1, A2, A3를 출력으로 할 때 이 호로의 기능으로 옳은 것은?
정답: ③ 3 bit 2진 리플카운터 (ripple counter)
설명: 정답은 3 번입니다.
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53. 논리회로 법칙 중 서로 잘못 연결된 것은?
정답: ② 결합법칙 – A·(B+C)=A·B+A·C
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
54. Schmitt 트리거 회로의 출력 파형에 나타나는 현상은?
정답: ④ Hysteresis
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
55. 그림의 회로에서 입력 A가 “0” 상태일 때 트랜지스터는 어떠한 상태에 있게 되는가?
정답: ① OFF 상태
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
56. 두 개의 스위치를 직렬 연결하여 스위치 모두 닫혀 있을 때, 부하에 전류가 흐러서 불이 켜지게 하는 논리 회로는?
정답: ② AND
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
57. 컴퓨터 내부에서 디지털로 코드화된 데이터를 해독하여 그에 대응하는 아날로그 신호로 바꿔주는 것은?
정답: ② 디코더
설명: 정답은 2 번입니다.
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58. 일련의 순차적인 수를 세는 회로는?
정답: ④ 카운터
설명: 정답은 4 번입니다.
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59. Parity에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답: ① 에러 검출을 위한 비트이다.
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
60. 다음 함수(function)를 간략히 한 결과 Y는?
정답: ④ Y= AB + BC +AC
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
61. 레이아웃 패턴을 설계자가 직접 설계하는 방식으로 가장 작은 면적을 갖는 집적회로(IC)는?
정답: ② 완전주문형 IC
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
62. 기판 바이어스 효과(BODY EFFECT)에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ③ IDS전류의 증가가 일어난다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
63. 다음 중 CMOS IC를 취급하는 방법에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ③ 전원이 공급된 상태에서 디바이스를 제거한다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
64. MOSFET에 생성될 수 있는 커패시턴스가 아닌 것은?
정답: ③ 소스와 드레인 간 커패시턴스
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
65. 게이트 수준에서 검증된 설계 데이터를 집적회로 구현에 필요한 마스크 제작 데이터로 변환시키는 과정은?
정답: ④ 레이아웃 설계
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
66. 결정 내의 스트레인과 결함을 줄이고, 단결정의 성장을 촉진시키기 위해 웨이퍼를 일정 시간 온도가 높은 곳에서 의도적으로 넣어두는 것은?
정답: ② 어닐링(annealing)
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
67. CMOS NAND 게이트의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답: ① PMOS는 병렬로 연결되고, NMOS는 작렬로 연결된다.
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
68. 클록(clock)에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ② 주로 아날로그 회로의 입력으로 사용된다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
69. 반도체 칩 내부와 외부 환경과의 연결을 위한 것은?
정답: ② 본딩 패드(bonding pad)
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
70. 집적회로 전반부 설계에서 동작 수준과 게이트 수준 사이에 위치하는 것으로서 시스템을 구성하는 각 기능 블록과 그 사이의 연결 버스타이밍을 기술하는 것은?
정답: ④ RTL
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
71. 기억보존(REFRESH)DL 필요하고 수시로 읽고 쓰기가 가능한 기억소자는?
정답: ① DRAM
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
72. 다음 CMOS 공정 중에서 가장 먼저 하는 것은?
정답: ① n-well 형성
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
73. 드레인 접합의 공핍층이 커져 드레인 부근의 채널이 드레인 영역과 차단되는 현상은?
정답: ① 핀치오프(pinch-off)현상
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
74. 레이아웃 설계 검증과정 중 레이아웃과 회로도의 네트리스트(Netlist)를 비교하여 상호연결성을 검증하는 과정은?
정답: ③ LVS
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
75. 전기적으로 프로그램 기록과 소거가 가능한 기억 소자는?
정답: ③ EEPROM
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
76. 레이아웃 설계가 끝난 후 레이아웃 설계 자료를 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 하는 것은?
정답: ③ Back Annotation
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
77. 도미노 로직(domino logic)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답: ② 도미노 로직은 출력단에 인버팅 반 래치가 있어 동적 CMOS 로직의 출력과 같다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
78. 반도체 공정에서 웨이퍼에 마스크를 대고 그 위에 자외선 광원을 이용하여 마스크의 모양을 웨이퍼에 전사하는 작업을 무엇이라 하는가?
정답: ① 포토리소그래피 공정
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
79. 에피택셜(epitaxial) 성장은 어느 경우에 적합한가?
정답: ② 기판에 매우 얇은 단결정을 성장시킬 때
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
80. CMOS 논리회로의 특성으로 틀린 것은?
정답: ④ CMOS 논리회로에서 용량성 노드는 고려할 필요가 없다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
결과
맞춘 문제: 문제
틀린 문제 번호: