반도체설계산업기사 필기 기출문제
1. 빛을 받으면 전자와 정공 쌍생성을 통해 전류를 발생하는 다이오드는?
정답: ③ 광 다이오드(Photo Diode)
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
2. P형 기판을 갖는 MOS 용량 구조에서 게이트 금속 극판의 전압 VGS가 기판 전압 VBS 보다 큰 경우 VGS가 증가함에 따라 전계가 증가함으로써 실리콘 경계면에 전자가 모여 형성된 층은?
정답: ③ 반전층(inversion layer)
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
3. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET: Junction Field Effect Transistor)의 동작은?
정답: ④ 다수 운반자의 흐름에 의한다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
4. 원소 주기율표에서 반도체 재료로 사용하지 않는 족은?
정답: ① Ⅰ족
설명: 정답은 1 번입니다.
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5. PN 접합 다이오드에서 역방향 바이어스 전압이 인가되었을 때 나타나는 현상과 관련이 없는 것은?
정답: ④ 홀 효과(Hall effect)
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
6. PN접합 다이오드에서 바이어스의 인가방법에 따른 전위장벽은?
정답: ② 역방향 바이어스때가 순뱡향 바이어스 때보다 높다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
7. FET의 차단 주파수에 영향을 주는 요소가 아닌 것은?
정답: ② 채널 폭
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
8. 다음 중 전도대역의 전자와 가전자대역의 정공이 가전자상태에 있는 전자가 전도대역으로 천이되었을 때 발생되는 현상은?
정답: ③ 전자-정공 쌍생성
설명: 정답은 3 번입니다.
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9. 평형 상태의 PN 접합에서 내부 전위장벽은?
정답: ④
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
10. P형 반도체의 정공이 1m3 당 4.4×1020[m-3]일 때, 반도체의 도전율은 얼마인가? (단, 정공의 이동도는 0.17[m2/V·s]이다.)
정답: ② 11.97[Ω-1m-1]
설명: 정답은 2 번입니다.
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11. Si의 물리적 성질 중 해당되지 않는 것은?
정답: ② 격자 상수(A) 2.35
설명: 정답은 2 번입니다.
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12. 반도체의 전기 전도도에 영향을 미치지 않는 것은?
정답: ④ 물질의 질량
설명: 정답은 4 번입니다.
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13. 컬렉터의 역바이어스를 계속해서 증가시키면 컬렉터 접합의 공간전하층이 베이스 영역 안으로 깊숙이 퍼져가며 마지막에는 이미터 접합의 공간 전하층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
정답: ④ 펀치-쓰루(punch-through) 현상
설명: 정답은 4 번입니다.
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14. nMOS FET에서 게이트 전압을 높이면 드레인과 소스 사이에 전류 ID가 흐르기 시작한다. 이 시점의 게이트 전압을 무엇이라고 하는가?
정답: ① 문턱전압
설명: 정답은 1 번입니다.
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15. 전력 소자로서 쓰이는 정류기의 필요조건이 아닌 것은?
정답: ② 내열성이 낮을 것
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
16. 화합물 반도체 재료가 아닌 것은?
정답: ② Ge
설명: 정답은 2 번입니다.
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17. 다음 반도체의 종류에 따른 다수캐리어와 소수캐리어에 관한 내용 중 옳은 것은?
정답: ③ n형 반도체의 다수캐리어는 전자이다.
설명: 정답은 3 번입니다.
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18. 쌍극성 접합 트랜지스터의 바람직한 조건이 아닌 것은?
정답: ① 이미터 영역의 캐리어 밀도를 낮게 해야 한다.
설명: 정답은 1 번입니다.
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19. PN 접합에서 공핍층의 두께는 역방향 바이어스전압(Vr)에 어떤 관계가 있는가?
정답: ① √Vr에 비례
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
20. NPN 바이폴라 트랜지스터의 3가지 영역을 불순물의 도핑 농도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?
정답: ① 이미터 ＞ 베이스 ＞ 컬렉터
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
21. 1mH의 인덕터에 전압 1V, 주파수 1kHz의 신호를 인가할 경우 리액턴스 값은?
정답: ③ 2π[Ω]
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
22. LED 세그먼트의 활용법으로 옳은 것은?
정답: ① 공통 애노드(Common Anode) 끝단에 전원을 연결한다.
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
23. 부귀환 증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ④ 안정도의 감소
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
24. 이상적인 연산증폭기(OP-AMP)의 특징으로 틀린 것은?
정답: ④ 출력 임피던스는 무한대(∞) 이다.
설명: 정답은 4 번입니다.
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25. 5V 직류전압원에 저항(R) 30Ω과 LED가 직렬로 연결된 회로에서 LED에서 소모되는 전력은? (단, LED의 전압강하는 1.4V 이다.)
정답: ② 168mW
설명: 정답은 2 번입니다.
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26. 그림과 같이 1kΩ저항과 다이오드의 직렬회로에서 전압(VO)의 크기는 약 몇 V 인가?
정답: ④ 5
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
27. 다음 회로에서 전압 이득이 –100이 되기 위한 R2값은 얼마인가?
정답: ③ 220kΩ
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
28. 다이오드에 관한설명으로 옳지 않은 것은?
정답: ④ 항복전압은 장벽전위보다 낮다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
29. 다음 회로에 Vi = Vmsinωt 의 파형을 인가하였을 때 출력 파형에 해당되는 회로는? (단, Vm은 3V 보다 크다.)
정답: ① 양단 클리퍼 회로
설명: 정답은 1 번입니다.
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30. AM 변조에서 반송파의 전력이 500mW, 변조도가 60%일 때, 피변조파의 전력은 몇 mW 인가?
정답: ③ 590
설명: 정답은 3 번입니다.
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31. 귀환 발진기의 발진조건에 대한 설명 중 틀린 것은? (단, A는 증폭도, β는 귀환량이다.)
정답: ③ β의 위상 변화는 0°이다.
설명: 정답은 3 번입니다.
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32. 일반적인 펄스 파형의 구간별 명칭에 관한 설명 중 옳은 것은?
정답: ③ 상승시간: 목표량에 10~90[%]까지 접근하는 시간
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
33. n형 반도체를 만들기 위하여 사용하는 불순물은?
정답: ① 인(P)
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
34. 다음 같은 회로에서 RL에 100mA의 전류가 흐를 때 RL의 값은? (단, Vi=5V, R1=47k, R2=470kΩ이다.)
정답: ③ 500Ω
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
35. 연산증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
정답: ③ 이상적 연산증폭기인 경우 대역폭은 ∞를 갖는다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
36. 신호의 일그러짐이 가장 적고 안정한 증폭기는?
정답: ① A급
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
37. 그림과 같은 회로를 여파기로 사용하면 주파수 특성은?
정답: ② 저역통과특성
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
38. 트랜지스터에서 β는 다음 중 어느 조건에서 결정할 수 있겠는가?
정답: ④ VCE가 일정할 때 IC와 IB의 변화
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
39. 트랜지스터를 증폭기로 사용할 때의 동작영역으로 옳은 것은?
정답: ③ 활성영역
설명: 정답은 3 번입니다.
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40. 정류 전원의 구성 중 정류기 회로와 필터 사이에 나타나는 파형의 형태는? (단, 입력전압은 사인파 교류전압이라 가정한다.)
정답: ②
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
41. 다음 회로가 나타내는 기능은?
정답: ③ 비교기
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
42. 0 과 1의 조합에 의하여 어떠한 기호라도 표현될수 있도로 부호화를 행하는 회로를 무엇이라고 하는가?
정답: ① Encoder
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
43. 다음은 전가산기의 진리표 일부이다. A, B, C, D의 값은? (단, Z는 밑의 자리에서 올라오는 캐리(carry)이며, 출력 중 C는 다음 자리로 올라가는 캐리이다.)
정답: ③ A=1, B=1, C=0, D=1
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
44. 읽기 전용의 기억장치는?
정답: ① Mask Rom
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
45. 1비트 단위의 2진수 정보를 저장(기억)할 수 있는 2진 셀(cell)을 무엇이라 하는가?
정답: ③ 플립플롭
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
46. JK 플립플롬을 다음 그림과 같이 연결했을 때 같은 기능을 수행하는 것은?
정답: ③ T 멀티플렉서
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
47. 기억장치에 관한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
정답: ② 기억장치를 기능상 크게 주기기억장치와 입 · 출력 장치로 분류한다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
48. BCD 코드에 3을 더하여 변형시킨 코드로 10진수에 대한 보수를 자체에 포함하고 있어 자기보수 코드로 이용되는 코드는?
정답: ③ 3초과 코드
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
49. 다음 회로도의 A 값이 0011이고, B 값이 1000일 때 출력 Y는?
정답: ① 1100
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
50. 다음 회로 중 조합논리회로가 아닌 것은?
정답: ④ 카운터
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
51. 10진수 0.6875를 2진수로 변환할 때 옳은 것은?
정답: ③ 0.1011
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
52. n단으로 구성된 일반 카운터는 2n개의 모드를 갖는데 반해, n단으로 구성된 시프트 카운터는 몇 개의 모드를 갖는가?
정답: ③ 2n
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
53. 3개의 입력과 2개의 출력을 가지는 회로이며 앞 디지트에 빌려준 1을 고려하여 뺄셈을 수행하는 것은?
정답: ④ 전감산기
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
54. 판독/기록 메모리에 데이터를 넣는 동작으로 옳은 것은?
정답: ③ 기록(write)
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
55. 순서논리회로를 설계하려 할 때 그 순서로 가장 옳은 것은?
정답: ② ㉠→㉡→㉢→㉣
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
56. T형 플립플롭에서 입력 T=0일 때 다음 상태 Q(t+1)는? (단, 현재 상태는 Q(t)이다.)
정답: ④ Q(t)
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
57. 10진수 0.1875를 8진수로 변환한 결과는?
정답: ② 0.14
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
58. 논리식 를 가장 간략히 간소화 시킨 것은?
정답: ③ AB
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
59. 디코더의 출력 선이 8개라면 입력 선은 몇 개 인가?
정답: ③ 3
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
60. 다음 회로의 논리식은?
정답: ① AB(C+D)
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
61. 시스템의 행동을 기술하기 위한 하드웨어 기술 언어에 속하는 것은?
정답: ② Verilo
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
62. 다음 집적회로의 제조 과정에서 가장 늦게 진행되는 작업은?
정답: ② 패키징
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
63. MOSFET에서 출력 논리 레벨이 완전히 복원되어 안정화되는 트랜지스터는?
정답: ① CMOS
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
64. 실제의 IC 소자들이 가지고 있는 지연시간을 고려한 시뮬레이션 방법으로 여러 단이 종속적(cascade)으로 연결되었을 경우, 최종출력에서 발생하는 spike나 glitch 등을 방지하기 위한 방법은?
정답: ① 타이밍 시뮬레이션(Timing Simulation)
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
65. VLSI 설계에서 강조되는 구조적 설계의 원칙으로 거리가 먼 것은?
정답: ④ 반복성(Repeatability)
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
66. 플로우(flow) 플랜부터 라우팅까지 수동으로 진행하며 개발기간이 길어지는 대신 의도한 대로 레이아웃이 가능한 설계방식은?
정답: ③ 완전 주문형
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
67. 다음 설명 중 Pseudo-nMOS 회로에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답: ① nMOS 논리의 공핍모드 부하 nMOS를 pMOS로 대체하고 pMOS가 항상 ON상태가 되도록 pMOS의 게이트 입력을 항상 Vss에 연결한 회로
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
68. 모노리식(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?
정답: ③ 알루미늄 증착
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
69. 입력 정적 CMOS NAND 게이트에 대한 설명 중 틀린 것은?
정답: ④ 2개의 입력 단자들이 모두 안정된 상태에 있을 때 전류가 흐른다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
70. 다음 CMOS 회로에서 NOR 게이트는?
정답: ②
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
71. 게이트 어레이의 일종인 SoG(Sea of Gates) 설계방식의 특징으로 틀린 것은?
정답: ① 게이트 어레이와 같이 배선을 위한 배선 영역(채널)을 둔다.
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
72. 일정한 이동도를 갖는 이상적인 MOSFET에서 아래와 같은 파라미터를 주었을 때 차단주파수는? (단, 채널길이 L=4um, 채널 폭 W=20um, 전자의 이동도 μn=4000cm/V·s, 문턱전압 vT=0.642, 게이트 전압 VGS=3V로 한다.)
정답: ② 9.38 GHz
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
73. CMOS 집적회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
정답: ④ BJT 집적회로에 비하여 고속 동작에 유리하다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
74. SPICE로 CMOS 인버터의 입출력 전압 전달특성을 확인할 때 사용되는 해석 방법은?
정답: ④ DC 해석
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
75. MOS 동적 논리회로를 정적논리와 비교한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답: ④ 부하소자가 ON되었을 때만 전력을 소모하는 회로를 설계할 수 없으므로 전력소모가 낮다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
76. 게이트 어레이 설계기법의 일종으로 배선영역 없이 배선하는 기술은?
정답: ① SOG(Sea of Gate)
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
77. 다음 중 집적회로의 종류가 아닌 것은?
정답: ④ 자동 집적회로
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
78. 동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 채널 폭이 2배로 증가하고, 채널의 길이가반으로 감소하면 차단주파수(ft)의 변화는? (단, 포화영역으로 가정하고, 모든 기생 용량의 영향은 무시한다.)
정답: ② 4배로 증가
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
79. CMOS 인버터의 동작 특성으로 틀린 것은?
정답: ② 입력전압이 high 이면 pMOS 트랜지스터는 전도가 된다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
80. 반도체 공정 과정 중 감광막에 대한 설명 으로 틀린 것은?
정답: ③ 불순물의 양을 조절하여 적당한 농도 분포를 얻는 단계를 말한다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
결과
맞춘 문제: 문제
틀린 문제 번호: