대기환경산업기사 필기 기출문제
1. PN 접합 다이오드에서 순방향 바이어스를 인가해주면 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답: ② 공간전하의 영역의 폭이 좁아진다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
2. 반도체 재료에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?
정답: ① 전계와 같은 방향이다.
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
3. MOSFET와의 설명으로 틀린 것은?
정답: ④ BJT에 비해 전력소모가 많은 트랜지스터이다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
4. MOS 집적회로 공정에서 가장 소형화하기 어려운 소자는?
정답: ② 인덕터
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
5. 전류가 역방향 바이어스에 의해 차단되면 나타나는 현상으로 옳은 것은?
정답: ② 소수 캐리어로 인해 아주 작은 전류가 흐른다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
6. BJT 회로에서 출력전압과 입력전압이 거의 동위상이 되어 이미터 폴로어(emitter follower)라고도 부르는 회로는?
정답: ③ 컬렉터 공통회로
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
7. P형과 N형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은?
정답: ① P형 : 정공, N형 : 전자
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
8. MOSFET 소자의 채널 폭과 길이가 짧아지면서 발생하는 단채널 효과(short channel effect)가 아닌 것은?
정답: ③ 전류 포화 현상
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
9. 실리콘 잉곳이 1016 비소원자/cm3로 도핑되어 있을 때, 실온에서의 캐리어 농도는 얼마인가? (단, 진성 캐리어 밀도는 1.5×1010/cm3이다.)
정답: ② 2.25×104/cm3
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
10. Si(실리콘) 원소에 대한 설명 중 틀린 것은?
정답: ④ 이온결합에 의해 결정을 이루고 있다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
11. 실리콘 공정에서 산화막에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ② 이미 형성된 산화막이 추후의 산화공정에서의 성장속도에 영향을 준다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
12. 도체에 1A의 전류가 흐를 때 1초 동안에 기준 단면적을 통과하는 전자의 개수는? (단, 전하의 전하량은 –1.6×10-19C)
정답: ③ 6.25×1018
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
13. 쌍극성 접합 트랜지스터에 대한 설명 중 옳은 것은?
정답: ③ 전자와 정공이 모두 이미터 전류 형성에 기여한다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
14. 계단 접합인 PN 접합에서 P영역과 N영역의 불순물 밀도가 각각 1018cm-3, 1015cm-3 일 때, 상온에서의 접촉전위차는 얼마인가? (단, K·T/q = VT = 26mV 이고, 진성 캐리어의 농도 ni = 1.5×1010cm-3으로 가정)
정답: ③ 0.757V
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
15. 부성저항 특성을 가지는 다이오드는?
정답: ② 터널 다이오드
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
16. PN 접합의 전압전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답: ④ 역방향 전압을 점점 증가시키면 어느 임계전압에서 전류가 급증하게 되는데, 이 현상을 항복현상이라고 한다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
17. 순수(진성) 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위 0.9eV, 가전자대의 준위가 1.6eV이면 순수 반도체의 에너지 갭은 몇 eV인가?
정답: ④ 0.7
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
18. PN 접합 다이오드의 온도 특성에 대한 설명 중 옳은 것은?
정답: ③ 역방향 바이어스에 의한 전류는 온도에 따라 증가한다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
19. 바이폴라 트랜지스터에서 이미터 접합이 순바이어스 컬렉터 접합이 역바이어스인 경우에 동작하는 영역은?
정답: ① 활성영역 (active region)
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
20. 디지털 집적회로에서 가장 일반적으로 사용되는 금속-절연체-반도체 구조를 갖는 트랜지스터는?
정답: ④ MOSFET
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
21. 다음 회로의 이름으로 옳은 것은?
정답: ② 배전압 정류회로
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
22. 다음 회로에서 출력 Vo의 전압은? (단, OPAMP는 이상적이다.)
정답: ② -21
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
23. 다음에서 피변조파 V=Vc•(1+m coswt)•sinωt 이며, 반송파의 진폭은 4V, 변조도는 50%인 경우 직선 검파를 할 때 부하저항에 나타나는 신호파의 실효치 전압은 약 몇 V 인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.)
정답: ② 1.27
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
24. 어떤 차동 증폭기의 차동모드 전압이득이 5000, 동상모드 전압이득이 0.25일 때, CMRR은 약 몇 dB인가?
정답: ④ 86
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
25. 다음 중 FET의 특징으로 옳은 것은?
정답: ③ 전압 제어 방식이다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
26. 이상적인 펄스파형에서 펄스폭이 20us이고, 펄스의 반복 주파수가 1000Hz일 때, 이 펄스파의 점유율 D는 얼마인가?
정답: ④ 0.02
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
27. 증폭기의 대역폭 정의로 맞는 것은?
정답: ③ 중간영역전압이득의 70%가 시작되는 주파수에서 끝나는 주파수 사이
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
28. 다음 정류회로에서 다이오드에 걸리는 피크 역전압(PIV)은 몇 V인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.)
정답: ② 24
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
29. 다음 회로에서 궤환율 β는 얼마인가?
정답: ① 0.25
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
30. 다음 원소 중 도너원자로 틀린 것은?
정답: ① In
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
31. 다음 중 정현파를 입력하면 구형파가 출력되는 회로는?
정답: ④ 슈미트 트리거 회로
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
32. 다음 트랜지스터(BJT)의 동작점 중 증폭기로 동작하기 위한 영역은?
정답: ③ active region
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
33. 다음 회로의 출력파형은 어느 것인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.)
정답: ②
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
34. 다음 중 트랜지스터 회로를 증폭기로 사용하기 위해 바이어스를 설계 시 가장 적절한 것은?
정답: ④ 베이스-이미터 사이는 순방향
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
35. 어떤 증폭기가 전압 이득(Av)이 50이고, 차단주파수(fc)가 20Hz일 때, 궤환 시 전압이득이 40이 되었다면, 변경된 차단주파수는 몇 Hz 인가?
정답: ④ 25
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
36. 다음 연산증폭기의 특성 중 슬루 레이트(slew rate)에 가장 영향을 많이 받는 특성은?
정답: ③ 스위칭 특성
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
37. 다음 중 트랜지스터(BJT) 증폭기 구성에서 C급 증폭기의 가장 큰 장점은?
정답: ② 효율의 증대
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
38. 반파정류기와 전파정류기의 다이오드 저항과 부하저항이 서로 같을 때 두 정류기의 전압 변동률 관계는?
정답: ④ 전파정류기가 반파정류기의 경우가 같다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
39. 전압 증폭도가 항상 1보다 작은 증폭회로는?
정답: ① 컬렉터 접지 증폭회로
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
40. 다단(3단) 증폭기의 전체 전압 이득은 약 몇 dB인가? (단, 각단의 전압이득Av1=10, Av2=15, Av3=20 이다.)
정답: ② 70
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
41. 논리식 를 간략히 하면?
정답: ③
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
42. 다음 D플립플롭의 진리표에서 에 가장 (A), (B)에 적합한 값은?
정답: ② (A) : 0, (B) : 1
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
43. 다음 중 회로의 명칭과 출력함수식이 모두 옳은 것은?
정답: ① 반가산기, , C = xy
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
44. 다음 논리회로의 기능으로 가장 옳은 것은? (단, 입력은 A, B로 합 또는 차는 X로, 자리올림 혹은 내림수는 Y로 표시한다.)
정답: ④ 반감산기
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
45. 2진수 (110010101001)2를 16진수로 표시하면?
정답: ① CA9
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
46. 10진수로 1000까지 계수할 수 있는 업 카운터(up counter)는 최소 몇 개의 플립플롭으로 구성되어야 하는가?
정답: ② 10
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
47. BCD code 0110 1001 1000을 10진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
정답: ① 698
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
48. 다음 중 4비트 시프트 레지스터의 구성으로 가장 옳은 것은?
정답: ④ 4개의 D 플립플롭
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
49. 조합논리회로의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답: ② 기억 회로를 갖고 있다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
50. 다음 회로에 대한 설명 중 맞는 것은?
정답: ① AND 게이트(gate)로 동작한다.
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
51. 어떤 메모리가 16 개의 번지입력(address input), 4개의 데이터 입력, 4개의 데이터 출력을 가지고 있다고 가정할 때, 이 메모리의 용량은?
정답: ③ 64×8 RAM
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
52. 다음 그림과 같은 회로의 논리식 F는?
정답: ① A+B
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
53. 다음 그림에서 JK플립플롭을 완성하기 위한 가장 옳은 버스(Bus) 결선 방법은?
정답: ③ Q 출력과 입력, 출력과 A입력을 각각 결선한다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
54. 다음 회로의 동작 상태와 가장 부합하는 카운터의 종류는?
정답: ④ 링 카운터(Ring Counter)
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
55. 논리식 의 보수를 구하면?(정확한 보기내용을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 내용작성 부탁드립니다. 정답은 2번입니다.)
정답: ②
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
56. 다음 3 상태 논리 인버터에 A=High 이고, C=1 인 경우 출력 Y의 상태는? (단, C는 Enable이다.)
정답: ② Low
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
57. 연산 회로에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
정답: ③ 2진수로 표시된 입력조합에 따른 BCD 코드를 0부터 9까지 동작할 수 있게 하는 회로를 인코더라 한다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
58. 플립플롭(flip-flop)을 응용해서 만들 수 없는 것은?
정답: ② MUX(multiplexer)
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
59. 다음 논리식을 가장 간단히 나타낸 것은? (단, d는 무정의 조건(don't care 임))
정답: ③ AB + BC + AD′
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
60. 에러(Error)를 검출하여 교정할 수 있는 코드는?
정답: ① Hamming Code
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
61. n웰 CMOS 공정에 필수적으로 사용되는 레이어가 아닌 것은 무엇인가?
정답: ④ p웰 레이어
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
62. 하드웨어기술언어(HDL)를 이용한 설계의 특징이 아닌 것은?
정답: ③ 회로도 입력에 시간이 많이 걸린다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
63. 레이아웃(layout) 설계규칙에 관한 설명 중 틀린 것은?
정답: ④ 웨이퍼에서 각각의 회로를 잘라내는 스크라이브(scribe) 선과는 무관하다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
64. 다음의 정적 CMOS 로직(Static CMOS Logic)에 관한 설명 중 틀린 것은?
정답: ③ 출력은 VDD로만 연결되어 유지된다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
65. 반도체 공정에서 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판 위에 박막이나 에피층을 형성하는 공정은?
정답: ③ 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
66. 동적 CMOS 로직과 거의 같으나 출력단에 인버팅 래치가 달려 있는 로직은?
정답: ① 도미노 로직
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
67. 다음 각 로직 회로의 사양 중에서 잡음여유(Noise Margin)가 가장 큰 것은?
정답: ② 5V CMOS
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
68. 동적 CMOS 로직에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답: ① 정적 논리 회로보다 연속 회로의 구현이 쉽다.
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
69. 다음 중 레이아웃 시 배선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답: ② 전원과 접지선, 클럭 등 중요 신호선은 여타 신호선을 배선한 후 마지막에 한다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
70. 다음 중 인버터 구현 시, 논리 '0' 의 신호는 잘 통과 시키고 '1' 의 신호는 잘 통과 시키지 못하는 poor 1 현상이 나타나는 구조는?
정답: ② nMOS
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
71. 이상적인 연산증폭기 특징에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
정답: ④ 출력임피던스는 0 이다.
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
72. 반도체 웨이퍼에 대한 공정 중 메탈이나 폴리 실리콘 등을 웨이퍼 표면에 부착시키는 공정은?
정답: ② 박막(thin film) 공정
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
73. 다음 중 일반적인 CMOS 회로에 대한 설명과 거리가 먼 것은?
정답: ③ CMOS 회로의 전력 소모는 nMOS 회로보다 크다.
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
74. 게이트 어레이 설계기법의 일종으로 배선영역 없이 설계하는 기술은?
정답: ① SoG(sea of gate)
설명: 정답은 1 번입니다.
설명: 정답은 1 번입니다.
75. 동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 게이트 산화막 두께가 2배 증가하면 포화영역에서의 드레인 전류는 어떻게 변하는가?
정답: ③ 1/2로 감소
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
76. LSI 설계 시 논리 설계 단계에서 고려해야 할 사항에 해당하지 않는 것은?
정답: ③ 완성 설계 체크
설명: 정답은 3 번입니다.
설명: 정답은 3 번입니다.
77. CMOS domino 로직회로를 사용할 때의 특성에 해당되지 않는 것은?
정답: ② EX-OR 와 같은 회로 구성으로 적합하다.
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
78. 집적회로 칩 레이아웃에 있어서 평면계획과 거리가 먼 것은?
정답: ④ 디자인 규칙 검사
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
79. 레이아웃 설계가 끝난 후, 레이아웃 설계 자료를 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 하는 것은?
정답: ④ Back Annotation
설명: 정답은 4 번입니다.
설명: 정답은 4 번입니다.
80. MOS 트랜지스터에서 게이트에서의 커패시턴스 관계식은? (단, L은 게이트의 길이, W는 게이트의 폭, Tox는 산화막의 두께, Cox는 SiO2의 유전율을 의미한다.)
정답: ②
설명: 정답은 2 번입니다.
설명: 정답은 2 번입니다.
결과
맞춘 문제: 문제
틀린 문제 번호: